替代進(jìn)口R&S的UAS天線(xiàn)架，高度調(diào)節(jié)范圍：0.8-2m，俯仰、極化可調(diào)。
在電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)中，對(duì)于輻射騷擾和輻射抗擾度的測(cè)試屬于基礎(chǔ)性的測(cè)試項(xiàng)目，也是特別重要的測(cè)試內(nèi)容。而這兩部分測(cè)試都需要使用天線(xiàn)這一重要的設(shè)備。人們通常對(duì)天線(xiàn)的各項(xiàng)性能指標(biāo)（如天線(xiàn)增益）非常關(guān)注，但往往忽略天線(xiàn)實(shí)際測(cè)量時(shí)的架設(shè)問(wèn)題。錯(cuò)誤的架設(shè)姿態(tài)，不符合要求的測(cè)試位置、測(cè)試高度等因素與其他常見(jiàn)因素一樣，能夠影響測(cè)試結(jié)果。因此，正確安裝天線(xiàn)顯得越發(fā)重要。
為避免對(duì)電波的傳播造成各種反射影響，在安裝天線(xiàn)時(shí)，通常使用非金屬的絕緣材料支架。本天線(xiàn)支架針對(duì)電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)需要，特殊設(shè)計(jì)，關(guān)鍵部件均采用高強(qiáng)度絕緣材料制成，可滿(mǎn)足電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)需要。
為了方便對(duì)EMC天線(xiàn)架的方向圖特性進(jìn)行比較，就需要規(guī)定一些特性參數(shù)。主要包括：主瓣寬度，旁瓣電平，前后比，方向系數(shù)等。
1.主瓣寬度：是衡量天線(xiàn)的輻射區(qū)域的尖銳程度的物理量。通常取天線(xiàn)方向圖主瓣兩個(gè)半功率點(diǎn)之間的寬度。
2.旁瓣電平：是指離主瓣最近且電平最高的第一旁瓣的電平，一般以分貝表示。
3.前后比：是指輻射方向（前向）電平與其相反方向（后向）電平之比，通常以分貝為單位。
4.方向系數(shù)：在離天線(xiàn)某一距離處，天線(xiàn)在輻射方向上的輻射功率流密度與相同輻射功率的理想無(wú)方向性天線(xiàn)在同一距離處的輻射功率流密度之比。
天線(xiàn)輻射電磁場(chǎng)在以天線(xiàn)為中心，某一距離為半徑的球面上隨空間角度（包括方位角和俯仰角）分布的圖形，稱(chēng)為輻射方向圖，簡(jiǎn)稱(chēng)方向圖。球面的半徑，也就是場(chǎng)點(diǎn)到天線(xiàn)的距離必須滿(mǎn)足遠(yuǎn)區(qū)條件。
因?yàn)樘炀€(xiàn)方向圖一般呈花瓣?duì)?，故又稱(chēng)為波瓣圖，輻射方向兩側(cè)第一個(gè)零輻射方向線(xiàn)以?xún)?nèi)的波束稱(chēng)為主瓣，與主瓣方向相反的波束稱(chēng)為背瓣，其余零輻射方向間的波束稱(chēng)為副瓣或旁瓣。
主營(yíng)產(chǎn)品：
TEM小室，GTEM小室，測(cè)試儀器儀表，屏蔽室，電波暗室，電磁兼容
產(chǎn)品型號(hào)：FF-UAS
更新時(shí)間：2023-05-11
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